<span style='color:red'>瑞萨</span>人工智能监控摄像头解决方案,监控安全不“掉线”
  在城市化进程加速与公共安全需求持续攀升的当下,传统监控系统由于依赖人工值守、响应滞后及智能处理能力有限,逐渐暴露出其局限性。而随着AI技术的快速发展,实时物体识别、异常行为预警等智能化功能正成为安防行业的核心能力诉求。  基于此趋势,瑞萨电子推出人工智能监控摄像头解决方案,分别提供基于MPU和MCU架构的两个版本,覆盖从高性能边缘推理到成本优化场景的多元化应用需求。其中,MPU版本聚焦于高算力、复杂多路输入的监控任务,采用瑞萨独有的DRP-AI技术,实现高能效AI推理和低功耗待机支持;而MCU版本则集成Helium向量扩展与Ethos-U55神经网络处理器(NPU),可在更低功耗与成本条件下完成语音定位、发言人追踪、图像增强等典型AI任务,并以MCU级平台提供接近MPU级的性能表现。  基于高性能MPU的监控摄像头方案  本方案以RZ/V2N或RZ/V2M为核心,配套使用RAA215300多通道电源管理IC、DA7212音频编解码器、5P35023可编程时钟、SLG59M1714V负载开关、RAA210040模拟电源模块、ISL80505 LDO稳压器、ISL8117同步降压PWM控制器以及ISL85005降压稳压器,构建出一套完整的高可靠边缘计算平台。  RZ/V2N视觉AI MPU搭载瑞萨专有的AI加速器——DRP-AI3,配备四核Arm Cortex-A55(最高主频1.8GHz)与单核Cortex-M33(200MHz)处理器,具备高达15TOPS的AI性能,并支持双通道MIPI CSI-2摄像头输入接口,适用于双视角监控、融合感知等应用场景。同时,该平台支持PCIe与USB 3.2等高速接口,可连接外部存储或多类高速扩展设备,为构建复杂边缘视觉系统提供充足的带宽与处理能力。它还配备了PCIe®和USB 3.2等高速接口,方便扩展外部设备。  RZ/V2M集成瑞萨DRP-AI(Dynamic Reconfigurable Processor for AI)加速引擎,能够在无需主动散热的条件下实现1TOPS/W级别的AI算力效率,并结合高鲁棒性的图像信号处理器(ISP)输出稳定图像,有效提升AI模型在实际环境中的识别准确率。该芯片面向无风扇、小型化、高集成系统设计,显著降低BOM成本与开发复杂度。  基于高性能MCU的监控摄像头方案  本方案采用RA8P1系列AI加速MCU作为核心处理器,外围搭载DA7212音频编解码器、5P35023可编程时钟、DA9062多通道电源管理IC、RAA211630降压稳压器以及SLG59M1714V负载开关器件,构成一套专为低功耗AI任务设计的紧凑型系统方案。  RA8P1系列是瑞萨首款采用Arm Cortex-M85处理器的产品,集成Helium向量扩展与Ethos-U55 NPU,可提供256 GOPS的AI推理能力和超过7300 CoreMarks的CPU性能,显著超越传统MCU平台,在语音识别、视觉分类、实时分析等边缘任务中具备卓越表现。该芯片采用先进的22nm超低漏电工艺(ULL),提供单核与双核配置,双核版本同时搭载Cortex-M33内核,用于系统管理与任务隔离。  凭借高性能CPU内核、大容量存储器、多路外部存储接口和专为AI优化的丰富外设,RA8P1可满足广泛市场的各种应用需求。并且通过内置类似安全元件的功能,搭配先进加密安全IP、不可变存储和防篡改保护功能,可实现真正安全的边缘AI和IoT应用。  在这两个方案中,瑞萨不仅提供了高性能的核心处理器平台,还围绕系统需求构建了涵盖电源管理、时钟控制、音频编解码与接口扩展等关键功能模块的完整生态系统。通过推出面向不同应用场景的MPU与MCU差异化方案,并整合图像信号处理、边缘AI推理、低功耗控制与多重安全保障等核心技术,瑞萨正在加速推动安防监控系统向智能化、高清晰度与实时响应方向演进。  得益于器件的高度集成与系统设计的优化,瑞萨两款高性能监控摄像头方案具备完善的前端功能平台,支持连接加密、语音报警与运动检测等智能特性,并可通过以太网或USB接口实现稳定的视频流输出。系统支持最高4K分辨率、30帧每秒的图像采集,搭载先进的2D数字降噪与可选3D降噪算法,能够显著提升图像清晰度,降低颗粒感,增强弱光环境下的视觉表现,从而为AI模型提供更高质量、更具鲁棒性的视觉输入,进一步提升整体监控系统的识别效率与可靠性。
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发布时间:2025-08-15 14:04 阅读量:201 继续阅读>>
电容触摸技术进化论:<span style='color:red'>瑞萨</span>CTSU2如何以全维度升级重塑HMI交互体验
  HMI(人机界面)是指用户与机器设备之间进行信息交互的硬件与软件系统,其核心功能是实现用户指令输入、系统状态反馈及数据可视化呈现。从形态上看,HMI涵盖触控面板、显示屏幕、按键旋钮等输入输出组件。根据贝哲斯咨询发布的《基于触摸的人机界面(HMI)行业研究报告》,2023年全球基于触摸的 HMI市场规模达357.82亿元,预计到2029年将增长至498.64亿元,预测期间的年复合增长率(CAGR)为5.37%。  纵观HMI发展史,一个核心要义是用更少物理约束实现更自然信息交换。因此,传统物理按键逐渐退出历史舞台,电容式触摸技术凭借高抗噪、低功耗、高精度等优势,已成为现代HMI人机界面的核心交互方式。多年来,瑞萨电子一直在深耕电容式触摸技术,其第三代电容式触控技术(CTSU2)自2019年推出市场后,便得到了市场的广泛欢迎。  电容式触摸技术的核心参数以及CTSU2的优势  从技术原理来看,电容式触摸技术基于人体电场的电容耦合效应,通过检测电极电容变化来定位触摸位置。该技术主要分为自电容(绝对电容)技术和互电容(投射电容)技术:前者每个电极独立构成电容,触摸时人体靠近会改变电极的寄生电容值,控制器通过检测电容变化确定触摸位置;后者由横向(X轴)和纵向(Y轴)电极阵列组成交叉电容网络,每个交叉点形成耦合电容,触摸时人体会耦合部分电场,导致交叉点电容值下降,通过检测各点电容变化量确定触摸坐标。  整个电容式触摸系统主要包括触控面板、触控控制器(一般是MCU)和驱动软件。其中,触控控制器作为系统的硬件核心,主要集成电容检测电路、信号处理芯片,负责采样、滤波、坐标计算。  衡量一款电容式触摸系统是否优质,有许多关键参数,包括分辨率、采样率、信噪比、抗干扰能力等。分辨率主要关系到触控精度,指单位面积内可识别的最小触摸点间距,精度越高,触控定位越精准;采样率为每秒检测触摸信号的次数,高采样率能够提升触控流畅度;信噪比是信号强度与噪声强度的比值,高信噪比能够减少误触,提升抗干扰能力;抗干扰能力则综合包括抗电磁干扰(EMI)、抗静电(ESD)、抗环境光干扰,以及防水防污等性能。当然,对于一些应用场景,系统的低功耗水平同样至关重要。  瑞萨电子深耕电容式触摸技术多年,很早就推出了第二代技术IP——CTSU,并搭载于相关的MCU产品上。2019年,瑞萨电子将第三代电容式触控技术(CTSU2)推向市场。相较于前代CTSU技术,CTSU2在抗干扰能力、功耗控制、防水性能、功能集成等方面实现了显著突破。  CTSU2通过多频测量与主动屏蔽,在抗干扰性能方面取得革命性提升。CTSU2基于三频率测量,可有效抑制同步噪声,即使某一频率受干扰,其他两个频率仍能准确捕捉电容变化,确保测量结果的稳定性,从而在测量端大幅提升抗噪性能。  CTSU2在第二代技术的基础上,优化了屏蔽电极的设计,可实现多个电极共用一个屏蔽电极,使硬件的设计难度大幅降低。同时,通过驱动触摸电极与屏蔽护罩电极以相同电位和相位工作,CTSU2可大幅降低水滴、油渍等污染物导致的误触。  CTSU2也着重优化了精度和灵敏度。首先,CTSU2 提高了Sensor(电流计数器)的温漂精度,适用于温度变化大的应用场景;其次,CTSU2在通用触摸IP技术上,增加了高速并行扫描功能(Capacitance Frequency Conversion),大幅减少了扫描次数,从而缩短了按键的延时响应,非常适合矩阵排列的多按键使用场景。  此外,相较于第二代技术,CTSU2在功耗方面表现更佳。CTSU2在通用IP的基础上,针对低功耗触摸应用,增加了多电极连接(Multi Electrode Connection)和自动判断功能(Auto Judgement)。其中,自动判断功能在MCU待机状态下(如休眠模式),无需唤醒CPU即可检测触摸事件,一旦检测到触摸,系统自动切换至正常工作模式;多电极连接功能可将所有电极连在一起进行一次扫描,从而减少了每个通道逐一扫描的时间。  瑞萨电子触摸MCU产品矩阵  综上所述,CTSU2作为瑞萨电子在电容式触摸技术领域的集大成者,通过多频测量、主动屏蔽、低功耗设计、高集成度等核心创新,重新定义了复杂环境下的触控体验。  目前,瑞萨电子已经推出了多种内核的触控MCU产品,RL78(16bit)和RX(32bit)为瑞萨私有内核MCU,RA(32bit)为ARM内核产品。其中,RL78/G23、G22系列,RX140系列,以及RA2L1、RA2E1、RA4L1系列均基于CTSU2技术。  以RA2L1为例,该系列MCU基于Arm® Cortex®-M23核心,CPU时钟频率最高 48MHz,采用优化的制程和瑞萨电子的低功耗工艺技术,是业界一流水平的超低功耗微控制器——相较于竞品,RA2L1为例运行模式电流和待机模式电流都更低。RA2L1产品群配备了增强型电容式触摸感应单元(CTSU2)、串行通信接口、高精度模拟电路和定时器,可应用于消费者应用、家用电器、工业自动化、楼宇自动化、医疗与保健等领域。  当前,瑞萨电子在电容触摸MCU方面产品类型丰富,用户可基于封装、闪存大小和触摸通道数量的需求快速选型。其中既有基于CTSU2技术的产品,也有基于CTSU技术的产品,满足用户的差异化需求。  同时,灵活的产品选型也表明,瑞萨电子的技术优势不仅体现在性能参数的提升,更通过与 MCU、安全模块和开发工具的深度协同,为汽车、工业、医疗等市场提供了“硬件+软件+生态”的一站式解决方案。  结语  从技术原理的革新到MCU产品矩阵的深度布局,瑞萨通过CTSU2技术将电容触摸体验推向新高度,不仅满足消费电子、工业自动化、医疗健康等多领域对触控精度与稳定性的严苛需求,更以“硬件+软件+ 生态”的一站式解决方案,构建起从技术创新到场景落地的完整闭环。在HMI向智能化、轻量化演进的趋势下,瑞萨电子凭借CTSU2技术与多元MCU产品的协同发力,正持续为全球用户打造更自然、更可靠的人机交互生态,推动触控技术在万物互联时代释放更大价值。
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发布时间:2025-08-12 09:30 阅读量:276 继续阅读>>
<span style='color:red'>瑞萨</span>电子荣获“维科杯·OFweek2025汽车行业优秀解决方案奖”
  2025年7月31日,在由OFweek维科网主办的“全数会2025工业智能传感与汽车芯片专题论坛”上,“维科杯·OFweek 2025汽车行业年度评选”结果也正式揭晓。瑞萨凭借“基于跨域融合MCU平台的轻量级ZCU虚拟化平台”,荣膺“维科杯·OFweek 2025(第四届)汽车行业优秀解决方案奖”。  基于跨域融合MCU平台的轻量级ZCU虚拟化平台是瑞萨电子与中科创达深度融合双方技术优势所推出的创新方案,旨在聚焦极低资源下的虚拟化性能优化与智能调度设计,通过对底层架构的完善与算法创新,为智能汽车域控制器的发展提供全新技术路径。  该方案核心采用瑞萨RH850/U2A高性能MCU——作为瑞萨跨域MCU系列的首款产品,RH850/U2A旨在满足将多应用集成于单芯片,以实现针对电气电子架构(E/E架构)的统一电子控制单元(ECU)设计。该MCU采用28nm制程技术,并融合了瑞萨用于底盘控制的RH850/Px系列和用于车身控制的RH850/Fx系列的关键功能,进一步提升了产品性能。  在核心设计方面,RH850/U2A MCU配备四个采用双核锁步结构的400MHz CPU核心。每个CPU核心都集成了基于硬件的虚拟化辅助功能,允许不同ISO26262功能安全级别的多种软件系统在高性能模式下独立运行且不受干扰。此外,还可减少虚拟化占用的资源,以保障实时执行。  另外,该MCU包含EVITA Full级别的信息安全功能支持,以加强对网络攻击的防护,使设备能够随着安全要求的发展,实现安全、快速的完全无等待OTA(Full No-Wait OTA)软件更新。  同时,RH850/U2A MCU还配备多种网络接口,这使其能够处理大量传感器数据,让客户能够支持面向未来的高速网络功能并满足高通信吞吐量的要求。  目前,基于RH850/U2A高性能MCU平台的ZCU方案已经得到各大主机厂的广泛应用。张佳浩表示“非常荣幸瑞萨电子与中科创达联合研发的‘基于跨域融合MCU平台的轻量级ZCU虚拟化平台’获得此项殊荣!面对汽车电子架构复杂化、跨域协同与成本控制的严峻挑战,瑞萨依托RH850/U2A的强大性能,为构建高效、安全、经济的跨域融合解决方案提供了核心动力。目前,该方案已在多家主流汽车制造中成功落地应用,标志着智能汽车正式从‘域控分立’迈入‘跨域融合’的新阶段”。  未来,瑞萨将继续深耕芯片级创新,携手合作伙伴推动汽车E/E架构的持续变革,为更智能、更安全的出行赋能!
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发布时间:2025-08-08 10:26 阅读量:474 继续阅读>>
<span style='color:red'>瑞萨</span>电子:紧凑型连续血糖监测(CGM)参考设计,提升患者舒适度和经济实惠
  糖尿病影响着全球超过10%的人口(数据来源:国际糖尿病联盟),由于其并发症种类繁多且缺乏直接有效的治疗方法,带来了巨大的健康风险。  连续血糖监测(CGM)已被证明能够彻底改变患者生活的革命性技术,通过赋予患者对日常生活的自主决策权,显著提升了他们的生活质量。  CGM测量的是皮肤间质液的葡萄糖浓度(图1)。因此,与血液测量相比,它的侵入性更小,并且可以舒适地佩戴在患者皮肤上数天。  图1:图片来自DiabetesWise.org。该图描述了血管上方的皮肤层,并显示了可靠的血糖信息如何存在于间质液中,而不是血液中。  通过CGM系统每隔几分钟收集一次的数据,可以传输到医疗读取器或智能手机,然后与医疗机构共享,供专业人员记录和分析。此外,来自联网患者的持续数据流正在推动基于先进人工智能的预测模型的发展,以实现更有效的糖尿病管理和研究。  CGM技术的研究重点是开发更准确、更安全、更小型化、更耐用且更具成本效益的解决方案。其目标是确保长期可及性和广泛应用,而电子产品在克服这些挑战方面发挥着关键作用。  大多数商用CGM系统采用放置在患者皮肤上的电化学安培传感器。这些传感器测量与血糖浓度成比例的小电流,然后由模拟前端(AFE)电路处理并转换为数字信号。该信号由微控制器(MCU)处理,并通过低功耗蓝牙(BLE)传输到医疗读取器。该系统由一次性纽扣电池供电。  瑞萨电子和Xmoore Microelectronics近期开发的参考设计介绍了CGM技术的一些最新进展。该设计采用紧凑高效的系统,包含模拟前端(AFE)、低功耗蓝牙(BLE)SoC和用于数据存储的小型外部闪存。低功耗蓝牙SoC不仅可以处理血糖数据,还可以将其无线传输到医疗读取器或智能手机,为患者和医疗保健提供者带来极大的便利。  如图2所示,该参考设计展示了一种超紧凑的解决方案,其中低功耗蓝牙SoC和AFE均由1.5V氧化银纽扣电池供电,无需任何外部直流升压电路,这在尺寸和电源效率方面带来了显著提升。整个系统(包括电池)仅占18毫米的空间,这使得CGM制造商能够生产出比目前市面上更小、更薄的皮肤贴片。这种小型化设计减少了传统CGM设备通常带来的笨重感和不适感,从而提高了患者的舒适度,并鼓励患者更好地遵守血糖监测方案。此外,使用低电压商用电池进一步降低了设备的总成本。  图2:该参考设计采用了Xmoore开发的模拟前端(AFE)和瑞萨提供的蓝牙®片上系统(SoC)。  如图3所示,这款成本效益高且紧凑的解决方案使参考设计在市场上极具竞争力。更小的尺寸,加上BLE SoC和AFE的高能效,确保CGM系统在功能或性能方面保持经济实惠。这种成本效益对于让更广泛的人群更容易获得持续血糖监测尤为重要,尤其是在保险覆盖范围有限或患者难以获得昂贵医疗设备财政补贴的地区。  图3:该参考设计集成了Xmoore开发的模拟前端(AFE)和瑞萨提供的蓝牙®片上系统(SoC)。  该系统由标准1.5V电池供电,可集成到一个18毫米的紧凑贴片中,大小与一枚一角美元硬币相当。  通过提高糖尿病管理工具的可及性,这项技术可以在减少糖尿病相关的长期健康并发症方面发挥关键作用。随着越来越多的患者能够使用可靠且经济高效的连续血糖监测(CGM)系统,糖尿病相关健康问题的负担将显著减轻,从而改善全球数百万人的健康状况,提高生活质量。  综上所述,瑞萨和Xmoore Microelectronics联合推出的全新CGM参考设计为糖尿病护理带来了激动人心的突破。微型化、高能效和低成本的结合使其成为市场上极具竞争力的解决方案。通过为患者提供更高的舒适度并降低总体成本,该参考设计有望扩大改变生活的糖尿病管理工具的可及性,最终在全球范围内改善糖尿病的预防和管理效果。  瑞萨DA14531超低功耗蓝牙®片上系统配备2.4GHz收发器和Arm® Cortex®-M0+微控制器,采用紧凑的3.0mmx2.2mm封装。其配置可延长电池续航时间,它允许在1.5V电池放电周期中持续运行,即使输出电压已低于其额定值。当需要更大RAM时,DA14535也是一个不错的选择。  XMOORE AFE XMB1000可与2至4端子电化学传感器配合使用,并集成0°C至50°C温度传感器。该器件可在低至1V的电源电压下工作而不会降低性能,并采用2.0mmx2.0mm的BGA封装,仅需极少的被动元件。
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发布时间:2025-08-06 10:57 阅读量:395 继续阅读>>
<span style='color:red'>瑞萨</span>电子携多元产品矩阵亮相2025 MCU及嵌入式技术论坛
  2025年7月24日,由ASPENCORE主办的MCU及嵌入式技术论坛在深圳举行。作为受邀嘉宾之一,瑞萨电子嵌入式处理器事业部中国市场部 刘杰文出席活动,并发表题为《智驱未来:瑞萨嵌入式产品矩阵》的主题演讲,系统阐述瑞萨在嵌入式领域的战略布局、核心产品与技术优势。瑞萨电子嵌入式处理器事业部中国市场部 刘杰文  深耕高增长市场,打造全栈解决方案  瑞萨电子由日立、三菱电机及NEC的半导体部门合并而成。自2017年起,公司通过战略收购持续完善模拟与嵌入式产品生态,致力于为汽车、工业/基础设施及物联网等高增长市场提供一站式解决方案。  在发展战略上,瑞萨聚焦多元化产品、端点智能、数据安全与功能安全和生态建设四大方向。活动现场,刘杰文重点介绍了公司的MCU、MPU产品及技术优势。  MCU产品介绍  瑞萨提供广泛的MCU产品组合,包括RL78、RX、RA几大系列,可满足从微功耗终端到高性能边缘计算的全场景需求。其中,RL78是瑞萨超低功耗MCU产品家族,拥有卓越的性能、高扩展性及集成度,并支持多种安全保护,是电池供电设备的理想选择。  RX MCU产品家族包含四个系列:具有出色性能和强劲功能的旗舰RX700系列;标准RX600系列;兼具高效能和高性能的RX200系列;具有极低功耗的入门级RX100系列,这些产品实现了从小型到大型应用的无缝扩展。另外,针对电机控制场景,瑞萨推出RX-T系列,适用于单电机、双电机及多电机驱动场景,可满足工业、家用电器和机器人等应用的电机需求。  作为瑞萨高性能MCU的代名词,RA系列率先采用Arm® Cortex-M85内核,主频达480MHz,为嵌入式系统带来了卓越的处理能力。该系列搭载的Helium技术进一步突破性能边界,即便在小型低功耗的嵌入式系统中,也能轻松应对多样化的算力需求。同时,RA系列产品通过集成TrustZone技术,构建了硬件级的隔离环境,可确保数据的安全性和系统的可靠性。其中,公司最新推出的RA8P1为第二代RA8系列产品,主频高达1GHz,不仅集成了新一代存储介质MRAM,还搭载Ethos-U55 NPU,拥有0.25TOPS的强大算力,同时支持千兆网口,树立了MCU处理性能的新标杆。  MPU产品介绍  瑞萨的MPU产品线同样强大,包括RZ/G、RZ/T、RZ/N、RZ/A、RZ/V等多个系列,覆盖从通用处理到专用AI加速的广泛需求。其中,RZ/T、RZ/N是用于工业网络及实时控制的产品,具有兼容性的可扩展阵容。在演讲中,刘杰文特别提到专为高性能工业自动化打造的MPU——RZ/T2H与RZ/N2H,他表示:这两款产品搭载4核CA55与2核CR52的强大处理器架构,不仅支持多协议工业以太网实现高效通信,还具备9轴电机驱动能力,可充分满足工业自动化领域的复杂控制需求。  RZ/V系列集成DRP-AI加速器,兼具高AI推理性能和低功耗特性,具有从0.5TOPS到80TOPS的广泛扩展性,能够为各种AI应用提供高附加值。RZ/V2H是瑞萨推出的高端AI MPU,其采用瑞萨专有的DRP-AI3、四核Arm® Cortex®-A55(1.8GHz)Linux处理器,以及双核Cortex®-R8(800MHz)实时处理器,是自主机器人和机器视觉等应用的理想之选。  RZ/G系列是基于Arm® Cortex®架构和RISC-V架构的可扩展MPU平台,具有先进的图形、视频引擎和高速接口,非常适用于工业自动化、楼宇自动化HMI、工业摄像头和网关应用。  在嵌入式设计领域,瑞萨提供从硬件IP到专用软件和工具的全栈支持。公司不仅拥有高性能的处理器内核,还推出了丰富的开发工具和软件包,如FSP,可为开发者提供高效、灵活的开发环境。  多领域部署,推动产业智能升级  瑞萨的嵌入式产品在多行业中展现出显著优势。在演讲中,刘杰文分享了公司在物联网、新能源、工业自动化、协作机器人以及嵌入式AI领域的部署战略。他表示:“瑞萨有160+本地解决方案,可以为中国客户提供高度适配且多元化的选择。”  在物联网领域,瑞萨推出涵盖用户界面、人工智能、模拟/传感、逆变控制、系统主控以及数据/功能安全等方面的产品和解决方案,为白色家电、消费电子以及医疗健康等领域的创新提供支持。  在新能源领域的电力应用端,瑞萨的高性能产品深度融入电力网关、电能质量分析、智能电表及流量计表等各类方案,成为推动电力智能化发展的关键力量。而在能源存储与转换的关键环节,瑞萨精准聚焦光伏逆变、储能、充电桩、电池分容化成等热门应用场景,以专业的技术支持与定制化的产品方案,为新能源产业的蓬勃发展奠定坚实基础。  在工业自动化领域,瑞萨能够提供涵盖各层级的产品与技术。公司旗下的MCU/MPU产品可广泛应用于工业网络/网关/IO设计中。同时,融合端侧AI技术,借助R-IN等网络解决方案与IO-Link等连接方案,可为工业自动化系统的高效、稳定、安全运行提供有力保障。  在人机协作中,瑞萨利用高性能应用处理器达成精准的系统控制及多轴、高精度电机操控;视觉处理上,借助DRP - AI技术实现高效AI推理;端点AI方面,其产品可增强机器人对环境的感知与响应能力。同时,瑞萨重视功能安全,通过TUV SIL3认证确保运行可靠,并借助工业网络通信、多元人机交互及完善数据安全方案,为协作机器人应用提供保障。  刘杰文指出:在嵌入式AI的部署上,瑞萨构建了从云端到终端的AI产品布局,提供全面的AI/ML工具和解决方案,能够满足不同场景下的嵌入式AI应用需求,助力客户快速实现产品的智能化升级。例如,借助Reality AI工具,我们可以对传感器信号数据进行清洗、特征空间提取以及模型训练,最终将训练好的模型转换并部署到芯片中。除了支持用户自主训练模型外,我们还提供丰富多样的预训练或已验证的模型资源。比如,通过近期新发布的Nvidia Tao平台,开发者能够将Nvidia已验证的100多个模型直接部署到我们的芯片上,无需从零开始搭建。  与此同时,瑞萨也深耕本地化生态,坚定推行“在中国,为中国”策略,以加速中国市场的本土创新。公司构建了由数十家本地合作伙伴组成的强大协作网络,致力于提供定制化解决方案、专业的技术支持与培训服务。不仅如此,瑞萨在全球范围内支持大学教育,公司的嵌入式大学计划致力于培养下一代嵌入式开发者,为中国市场持续输送人才。
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发布时间:2025-07-31 13:49 阅读量:406 继续阅读>>
<span style='color:red'>瑞萨</span>电子推出64位RZ/G3E MPU,专为需要AI加速和边缘计算的高性能HMI系统设计
  7月29日,全球半导体解决方案供应商瑞萨电子(TSE:6723)宣布推出全新64位微处理器RZ/G3E(MPU)。RZ/G3E作为一款通用型产品,针对高性能人机界面(HMI)应用进行优化,集成运行频率高达1.8GHz的四核Arm® Cortex®-A55和一个神经网络处理单元(NPU),可实现高性能边缘计算,并具备AI推理功能,从而带来更快、更高效的本地处理。凭借全高清图形处理能力和高速连接功能,该MPU主要面向工业和消费领域的HMI系统,包括工厂设备、医用监视器、零售终端和楼宇自动化系统。  高性能边缘计算与HMI功能  RZ/G3E的核心包含四核Arm® Cortex®-A55、一个Cortex®-M33内核,以及用于AI任务的Ethos™-U55 NPU。这种架构能够高效运行图像分类、物体识别、语音识别和异常检测等AI应用,同时将CPU负载降至最低。该产品专为HMI应用设计,可在两个独立显示屏上以60fps的速率流畅播放全高清(1920x1080)视频,其输出接口包括LVDS(双链路)、MIPI-DSI和并行RGB接口;此外RZ/G3E还配备MIPI-CSI摄像头接口,可用于视频输入与感知应用。  Daryl Khoo, Vice President of Embedded Processing at Renesas表示:“RZ/G3E在RZ/G系列成熟性能的基础上,增加了NPU以支持AI处理。通过使用与我们最近发布的RA8P1微控制器相同的Ethos™-U55 NPU,我们为AI开发提供了可扩展的路径。这些增强功能凭借强大的AI能力,满足下一代HMI应用在视觉、语音和实时分析方面的需求。”  RZ/G3E配备边缘设备所需的一系列高速通信接口,包括用于高达8Gbps数据传输的PCI Express 3.0(2通道)、用于快速10Gbps数据传输的USB 3.2 Gen2,以及实现与云服务、存储设备和5G模块无缝连接的双通道千兆以太网。  低功耗待机与快速Linux恢复  从第三代RZ/G3S开始,RZ/G系列就包含先进的电源管理功能,可显著降低待机功耗。RZ/G3E在保持子CPU运行和外设功能的同时,功耗可低至约50mW;深度待机模式下功耗约为1mW。它支持DDR自刷新模式以保留内存数据,从而能够从深度待机模式快速唤醒并运行Linux应用程序。  全面的Linux软件支持  瑞萨提供基于可靠Civil Infrastructure Platform内核且经验证的Linux软件包(VLP),并提供超过10年的维护支持。对于需要最新版本的用户,瑞萨提供Linux BSP Plus,支持最新LTS Linux内核和Yocto。此外,Canonical的Ubuntu,以及Debian开源操作系统也可用于服务器或桌面Linux环境。  RZ/G3E的关键特性  CPU:四核Cortex®-A55(最高1.8GHz)、Cortex®-M33  NPU:Ethos™-U55(512GOPS)  HMI:双全高清输出、MIPI-DSI/双链路LVDS/并行RGB、3D图形处理、H.264/H.265编解码器  内存接口:32位LPDDR4/LPDDR4X(带ECC)  5G通信连接:PCIe 3.0(2通道)、USB 3.2 Gen2、USB 2.0x2、千兆以太网x2、CAN-FD  工作温度:-40°C至125°C  封装选项:15mm2 529引脚 FCBGA、21mm2 625引脚 FCBGA  产品生命周期:根据产品生命周期计划(PLP)提供15年供货保障  瑞萨及其生态系统合作伙伴推出的系统级模块解决方案  瑞萨还推出基于RZ/G3E的模块化系统(SoM)解决方案——高性能边缘计算SoM丨瑞萨。瑞萨的生态系统合作伙伴将提供广泛的SoM解决方案:例如Tria的SMARC模块、ARIES Embedded的OSM(Size-M规格),以及MXT的OSM(Size-L规格)。  成功产品组合  瑞萨电子将RZ/G3E与其它兼容设备相结合,开发了功能丰富的高端HMI平台和数字耳镜。这些“成功产品组合”基于相互兼容且可无缝协作的产品,具备经技术验证的系统架构,带来优化的低风险设计,以加快产品上市速度。瑞萨现已基于其产品阵容中的各类产品,推出超过400款“成功产品组合”,使客户能够加速设计过程,更快地将产品推向市场。更多信息,请访问:renesas.com/win。  供货信息  RZ/G3E和评估板套件现已上市;该套件包括一块SMARC v2.1.1模块板和一块载板。如果你想购买相关产品,可咨询AMEYA360的销售人员。
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发布时间:2025-07-30 11:29 阅读量:449 继续阅读>>
<span style='color:red'>瑞萨</span>电子:高性能系统如何从GaN和低压MOSFET中受益
  Gabriele Clapier,Power System Marketing Manager:"随着汽车、工业和机器人应用对效率、功率密度和可靠性的要求不断提高,功率半导体技术也取得了长足的发展。氮化镓(GaN)和低压MOSFET是推动这一发展的两项最具影响力的创新。Renesas一直处于这些进步技术的最前沿,为这些要求苛刻的行业提供量身定制的高性能解决方案。在这里,我想探讨GaN和MOSFET在这些应用中的作用、它们的优势和挑战,并探讨一些行业用例。"  GaN和Cascode D-Mode架构的优势  与传统的硅基器件相比,GaN具有许多优势,包括更高的效率、更快的开关速度和卓越的热性能。这些优势源于GaN较低的导通电阻和更少的栅极电荷,这有助于降低导通和开关损耗。GaN还允许更高的开关频率,从而实现更紧凑、更高效的电力电子设计。  GaN最有效的实现方式之一是Cascode D-Mode(耗尽模式)配置,通过常开GaN高电子迁移率晶体管 (HEMT)与低压硅MOSFET配对,以创建常闭器件。  这种组合可以发挥GaN的高效率和快速开关特性,同时保持了使用传统硅栅极驱动器的易控制的特性。 Cascode方法提供更强的耐用性、高电压作以及与现有电路拓扑的兼容性,使其成为高效电源应用的首选解决方案。  主要应用–能源、电动汽车充电、电机控制和汽车  可再生能源的兴起也增加了对便携性和高效系统的需求。基于GaN的解决方案被广泛使用,因为它们支持紧凑、轻便和高效的USB-C电源系统,通过提供更快的充电和更高的能源转换率,实现便携性的设计目标。  随着电动汽车的加速采用,智能充电解决方案对于效率和监控至关重要。基于GaN和MOSFET的电力电子器件可帮助实现这关键系统的高效率、低散热和快速开关速度的目。访问这些应用页面,了解这如何有利于X-in-1集成和其他安全、高效且可扩展的电动和混合动力汽车(EV/HEV)解决方案。  现代AI驱动型电机控制解决方案利用GaN和低压 MOSFET来提高精度和效率。边缘AI在机器人和工业自动化中发挥着重要作用,可实现实时调整、预测性维护和更高能源效率。基于AI的控制算法与高性能功率器件的集成确保了卓越的电机性能,同时降低了能耗。 高压GaN技术通过降低损耗和提高功率密度,正在彻底改变功率转换,这些进步使工业和汽车应用都受益。 基于高压GaN的转换器可实现更紧凑、更轻便的设计,并具有卓越的功率转换能力。在1.2kW高压GaN逆变器解决方案中查看其实际应用。在电机驱动和机器人应用页面上查看其他高功率交流驱动器设计。  GaN FET和MOSFET通过实现最小的功率损耗、更强的安全性和稳健的性能,在汽车应用中发挥着至关重要的作用。例如,在上述EV系统中,将多种动力功能集成到单个X-in-1E-Axle解决方案中,可显著提高效率并降低系统复杂性。氮化镓技术提高了功率转换效率,减小了尺寸和重量,最终延长了行驶里程和可靠性,这是将逆变器、车载充电器(OBC)、DC/DC转换器和配电单元(PDU)组合在一起时的关键因素。  在不断增长的电动两轮车市场中,高效的48V无刷直流 (BLDC)电机控制解决方案至关重要。具有优化 FOM(品质因数,RDSon xQG)的低压MOSFET可实现更高的开关频率、更低的损耗和更好的热性能,从而可帮助实现紧凑、轻便的动力系统,延长电池寿命并改善加速性能。  总结  GaN和低压MOSFET正在彻底改变多个领域的电力电子技术,瑞萨电子通过为可再生能源、电动汽车充电、电机控制和下一代汽车架构提供高效、高性能的解决方案来推动这些创新。随着技术的不断进步,这些技术将进一步提高未来工业和汽车应用的能效、可靠性和集成度。
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发布时间:2025-07-24 13:33 阅读量:429 继续阅读>>
<span style='color:red'>瑞萨</span>电子推出面向单电机应用优化的卓越MCU,涵盖电动工具、家用电器等广泛应用场景
  全球半导体解决方案供应商瑞萨电子(TSE:6723)今日宣布推出基于Arm® Cortex®-M23处理器的RA2T1微控制器(MCU)产品群。该系列产品针对电机控制系统进行优化,专为风扇、电动工具、吸尘器、冰箱、打印机、吹风机等单电机应用而设计。  专为电机控制优化的功能集  全新RA2T1产品包含多项提升电机控制功能的设计,尤其适用于单电机系统。其显著特点之一是具备3通道S&H(采样保持)功能,可同时检测无刷直流(BLDC)电机的三相电流值。与顺序测量方式相比,这种方案可提高控制精度。RA2T1 MCU还提供具备互补脉宽调制(PWM)功能的定时器,可实现死区时间的自动插入和不对称PWM生成,这一针对逆变器驱动进行优化的功能,有助于控制算法的实施。  RA2T1产品集成对电机控制应用至关重要的安全功能,包括端口输出使能功能和高速比较器。当检测到过流时,二者协同工作,能够快速关闭PWM输出。关断状态可根据逆变器规格进行配置。  瑞萨在电机控制嵌入式处理领域的卓越地位  瑞萨面向电机控制提供专用MCU已有超过20年历史。公司每年向全球数千家客户出货超过2.3亿颗电机控制专用MCU。除多个RA MCU产品群外,瑞萨还在其32位RX产品家族、16位RL78 MCU和64位RZ MPU产品线中推出电机控制专用器件。  Daryl Khoo, Vice President of Embedded Processing Marketing Division at Renesas表示:“历经多年实践验证,瑞萨电机控制解决方案已在数千个系统中赢得客户信赖。全新RA2T1 MCU凭借前沿的技术和低功耗运行特性,结合瑞萨在单电机系统领域优异的质量与安全标准,进一步巩固我们在该领域的卓越市场地位。”  RA2T1产品群MCU的关键特性  内核:64MHz Arm® Cortex®-M23  存储:64KB闪存、8KB SRAM、2KB数据闪存  模拟外设:12位ADC(带3通道采样保持)、温度传感器、内部参考电压、2通道高速比较器  系统:高、中、低速片上振荡器;时钟输出;上电复位;电压检测;数据传输、事件链接和中断控制器;低功耗模式  安全功能:PWM强制关闭、SRAM奇偶校验错误检测、ADC自诊断、时钟频率精度测量、非法内存访问检测  工作温度范围:Ta=-40°C至125°C  工作电压:1.6V至5.5V  封装:48LQFP、32-LQFP、48-QFN、32-QFN、24-QFN(4mm x 4mm)  全新RA2T1产品群MCU由瑞萨灵活配置软件包(FSP)提供支持。FSP提供所需的所有基础架构软件,包括多个RTOS、BSP、外设驱动程序、中间件、连接、网络和安全堆栈,以及用于构建复杂AI、电机控制和云解决方案的参考软件,从而加快应用开发速度。它允许客户将自己的既有代码和所选的RTOS与FSP集成,为应用开发提供充分的灵活性。借助FSP,可轻松将现有设计迁移至其它RA系列产品。  成功产品组合  瑞萨将全新RA2T1 MCU产品群与其产品组合中的众多可兼容器件相结合,创建广泛的“成功产品组合”,包括便携式电动工具、智能BLDC吊扇、无线吸尘器、无线吹叶机。“成功产品组合”基于相互兼容且无缝协作的产品,具备经技术验证的系统架构,带来优化的低风险设计,以加快产品上市。瑞萨现已基于其产品阵容中的各类产品,推出超过400款“成功产品组合”,使客户能够加速设计过程,更快地将产品推向市场。更多信息,请访问:renesas.com/win。  供货信息  RA2T1产品群MCU以及FSP软件现已上市。全新MCU由瑞萨的灵活电机控制开发套件和瑞萨电机工作台开发工具提供支持,前者可实现永磁同步电机(无刷直流电机)控制的便捷评估。该开发套件搭建了一个通用设计平台,支持瑞萨RA和RX产品家族中的众多电机控制MCU,从而助力跨多个平台的IP迁移。有关所有这些产品的信息可点击阅读原文获取,客户可以在瑞萨网站或通过分销商订购样品及套件。  瑞萨MCU优势  作为全球卓越的MCU产品供应商,瑞萨电子MCU近年来的平均年出货量超35亿颗,其中约50%用于汽车领域,其余则用于工业、物联网以及数据中心和通信基础设施等领域。瑞萨电子拥有广泛的8位、16位和32位产品组合,所提供的产品具有出色的质量和效率,且性能卓越。同时,作为一家值得信赖的供应商,瑞萨电子拥有数十年的MCU设计经验,并以双源生产模式、业界先进的MCU工艺技术,以及由250多家生态系统合作伙伴组成的庞大体系为后盾。
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发布时间:2025-07-10 13:42 阅读量:408 继续阅读>>
<span style='color:red'>瑞萨</span>电子推出全新GaN FET,增强高密度功率转换能力,适用于AI数据中心、工业及电源系统应用
  全球半导体解决方案供应商瑞萨电子(TSE:6723)宣布推出三款新型高压650V GaN FET——TP65H030G4PRS、TP65H030G4PWS和TP65H030G4PQS,适用于人工智能(AI)数据中心和服务器电源(包括新型800V高压直流架构)、电动汽车充电、不间断电源电池备份设备、电池储能和太阳能逆变器。此类第四代增强型(Gen IV Plus)产品专为多千瓦级应用设计,将高效GaN技术与硅基兼容栅极驱动输入相结合,显著降低开关功率损耗,同时保留硅基FET的操作简便性。新产品提供TOLT、TO-247和TOLL三种封装选项,使工程师能够灵活地针对特定电源架构定制热管理和电路板设计。  这三款新型产品基于稳健可靠的SuperGaN®平台打造。该平台采用经实际应用验证的耗尽型(d-mode)常关断架构,由Transphorm公司(瑞萨已于2024年6月收购该公司)首创。与硅基、碳化硅(SiC)和其它GaN产品相比,基于低损耗耗尽型技术的产品具有更高的效率。此外,它们通过更低的栅极电荷、输出电容、交叉损耗和动态电阻影响,以最大限度地减少功率损耗,并具备更高的4V阈值电压——这是当前增强型(e-mode)GaN产品所无法达到的性能。  新型Gen IV Plus产品比上一代Gen IV平台的裸片小14%,基于此实现30毫欧(mΩ)的更低导通电阻(RDS(on)),较前代产品降低14%,并且在导通电阻与输出电容乘积这一性能指标(FOM)上提升20%。更小的裸片尺寸有助于降低系统成本,减少输出电容,进而提升效率和功率密度。这些优势使Gen IV Plus产品成为对成本敏感且对散热要求较高应用的理想选择,特别是在需要高性能、高效率和紧凑体积的场景中。它们与现有设计完全兼容,便于升级,同时保护已有的工程投入。  这些产品采用紧凑型TOLT、TO-247和TOLL封装,为1kW至10kW的电源系统提供广泛的封装选择,满足热性能与布局优化的要求,还可并联更高功率的电源系统。新型表面贴装封装包括底部散热路径(TOLL)和顶部散热路径(TOLT),有助于降低外壳温度,方便在需要更高导通电流时进行器件并联。此外,常用的TO-247封装为客户带来更高的热容量,以实现更高的功率。  Primit Parikh, Vice President of the GaN Business Division at Renesas表示:“Gen IV Plus GaN产品的成功发布,标志着瑞萨自去年完成对Transphorm的收购后,在GaN技术领域迈出具有里程碑意义的第一步。未来,我们将深度融合经市场场验证的SuperGaN技术与瑞萨丰富的驱动器及控制器产品阵容,致力于打造完整的电源解决方案。这些产品不仅可作为独立FET使用,更能与瑞萨控制器或驱动器产品集成到完整的系统解决方案设计中,这一创新组合将为设计者提供更高功率密度、更小体积、更高效率,且总系统成本更低的产品设计方案。”  独特的耗尽型常关断设计,实现可靠性与易集成性  与此前的耗尽型GaN产品一样,瑞萨全新GaN产品采用集成低压硅基MOSFET的独特配置,拥有无缝的常关断操作,同时充分发挥高电压GaN在低损耗和高效率开关方面的优势。由于其输入级采用硅基FET,SuperGaN FET可以使用标准现成的栅极驱动器进行驱动,而无需通常增强型GaN所需的专用驱动器。这种兼容性既简化设计流程,又降低系统开发者采用GaN技术的门槛。  为满足电动汽车(EV)、逆变器、AI数据中心服务器、可再生能源和工业功率转换等领域的高要求,基于GaN的开关产品正迅速成为下一代功率半导体的关键技术。与SiC和硅基半导体开关产品相比,它们具有更高的效率、更高的开关频率,和更小的尺寸。  瑞萨在GaN市场上独具优势,提供涵盖高功率与低功率的全面GaN FET解决方案,这与其它许多仅在低功率段取得成功的厂商形成鲜明对比。丰富的产品组合使瑞萨能够满足更广泛的应用需求和客户群体。截至目前,瑞萨已面向高、低功率应用出货超过2,000万颗GaN器件,累计现场运行时间超过300亿小时。
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发布时间:2025-07-04 10:41 阅读量:426 继续阅读>>
<span style='color:red'>瑞萨</span>电子推出搭载AI加速功能的1GHz微控制器,树立MCU性能新标杆
  全球半导体解决方案供应商瑞萨电子(TSE:6723)宣布推出针对人工智能(AI)、机器学习(ML)应用以及实时分析的RA8P1微控制器(MCU)产品群。该系列MCU通过将1GHz Arm® Cortex®-M85和250MHz Cortex-M33 CPU核心与Arm EthosTM-U55神经处理单元(NPU)相结合,从而树立MCU性能的新标杆。这一组合可实现超过7300 CoreMark的最高CPU性能和500 MHz下256 GOPS的AI性能。  专为边缘/终端AI设计  RA8P1专为边缘AI应用优化,利用Ethos-U55 NPU卸载CPU在卷积神经网络(CNN)和递归神经网络(RNN)中的计算密集型操作,实现高达256 MAC per/cycle的性能,在500MHz下可达256 GOPS。新款NPU支持大多数常用神经网络,包括DS-CNN、ResNet、Mobilenet TinyYolo等。根据所用神经网络的不同,Ethos-U55相较于单独使用的Cortex-M85处理器,可获得高达35倍的每秒推理次数。  先进技术  RA8P1 MCU采用台积电22ULL(22nm ultra-low leakage,超低漏电)工艺制造,在实现超高性能的同时保持极低的功耗。该工艺还支持在新款MCU中集成嵌入式磁性随机存取存储器(MRAM)。与闪存相比,MRAM具备更快的写入速度、更高的耐久性和更强的数据保持能力。  Daryl Khoo, Vice President of Embedded Processing Marketing Division at Renesas表示:“高性能边缘AIoT应用的需求正呈现爆炸式增长,而RA8P1正是我们为应对这一趋势而推出的MCU产品。它不仅充分彰显了我们在技术和市场领域的深厚积累,更体现了我们与行业伙伴建立的广泛合作生态。瑞萨的客户对在多样化AI场景中部署这款全新MCU表现出了强烈意愿。”  Paul Williamson, Senior Vice President and general manager, IoT Line of Business at Arm表示:“人工智能时代的创新步伐比以往任何时候都快,新的边缘应用对设备端性能和机器学习提出了更高的要求。瑞萨RA8P1 MCU依托Arm计算平台的先进AI功能,能够满足下一代语音和视觉应用的需求,助力扩展智能、情境感知的AI体验。”  Chien-Hsin Lee, Senior Director of Specialty Technology Business Development at TSMC表示:“我们非常高兴看到瑞萨充分利用台积电22ULL嵌入式MRAM技术的性能和可靠性,为其RA8P1带来卓越的成果。随着台积电不断推进嵌入式非易失性存储器(eNVM)技术,我们期待加强与瑞萨长期合作,共同推动未来突破性产品的创新。”  丰富的外设,专为AI设计  瑞萨推出的RA8P1集成专用外设、充足的内存和高阶安全功能,以支持语音和视觉AI以及实时分析应用。对于视觉AI,该设备包含一个16位摄像头接口(CEU),支持高达500万像素的图像传感器,从而实现需要接入摄像头和算力要求苛刻的视觉AI应用。独立的MIPI CSI-2接口提供一个低引脚数接口,具有两个通道:每个通道速率最高可达720Mbps。此外,多个音频接口(包括I2S和PDM)支持麦克风输入,满足语音AI应用需求。  RA8P1集成了片上存储和可扩展的外部存储,以实现高效、低延迟的神经网络处理。该MCU内置2MB SRAM,用于存储中间变量或缓冲区。此外,该产品配备1MB片上MRAM,用于存储应用程序代码、模型权重或图形资源。对于更大规模的模型,可提供高速外部存储器接口。对于更严苛的AI应用需求,这一MCU还提供单封装内含4MB或8MB外部闪存的SIP选型。  全新RUHMI框架  与RA8P1 MCU一同推出的,还有瑞萨RUHMI(瑞萨统一异构模型集成)。作为一款面向MCU与MPU的综合性AI编译器和框架,RUHMI提供高效的AI工具,能够部署多种最新神经网络模型。它支持模型优化、量化、图编译和转换,并生成高效、适用于MCU的源代码。RUHMI原生支持TensorFlow Lite、Pytorch和ONNX等机器学习AI开发框架,还提供部署预训练神经网络所需的工具、API、代码生成器与运行时环境,包括适用于RA8P1的演示用例。此外,RUHMI与瑞萨自有的e2Studio IDE集成,可实现无缝AI开发,此集成将为MCU和MPU提供一个通用的开发平台。  高阶安全功能  RA8P1 MCU为关键应用构建前沿的安全保障。全新的瑞萨安全IP(RSIP-E50D)集成众多加密加速器,包括CHACHA20、Ed25519、最高达521位的NIST ECC曲线、增强型最高达4K的RSA、SHA2和SHA3。与Arm TrustZone协同工作,该IP可实现全面且完全集成的类似安全元件的功能。新款MCU还具备强大的硬件信任根,和通过第一阶段引导加载程序(FSBL)在不可变存储器(ROM)中实现的安全启动功能。支持实时解密(DOTF)的XSPI接口允许将加密的代码程序存储在外部闪存中,并在安全传输到MCU执行时进行实时解密。  即用型解决方案  瑞萨为RA8P1 MCU打造了一系列易用的工具及解决方案,包括灵活软件包(FSP)、评估套件和开发工具,支持FreeRTOS、Azure RTOS,以及Zephyr。瑞萨还提供多个软件示例项目和应用说明,以帮助客户加快产品上市速度。此外,众多合作伙伴解决方案也可支持RA8P1 MCU的开发,其中包括来自Nota.AI的驾驶员监控解决方案,和来自Irida Labs的交通/行人监控解决方案。其它更多解决方案,可查阅RA合作伙伴生态系统解决方案。  RA8P1 MCU的关键特性  - 处理器:1GHz Arm® Cortex®-M85、500MHz Ethos-U55、250MHz Arm Cortex-M33(可选)  - 存储:1MB/512KB片上MRAM、4MB/8MB外部闪存SIP选项、2MB完全受ECC保护的SRAM、每核心32KB I/D缓存  - 图形外设:支持最高WXGA(1280x800)分辨率的图形LCD控制器、并行RGB和MIPI-DSI显示接口、强大的2D绘图引擎、并行16位CEU和MIPI CSI-2摄像头接口、32位外部存储器总线(SDRAM和CSC)接口  - 其它外设:千兆以太网和TSN交换机、带XIP和DOTF的XSPI(八线SPI)、SPI、I2C/I3C、SDHI、USBFS/HS、CAN-FD、PDM和SSI音频接口、带S/H电路的16位ADC、DAC、比较器、温度传感器、定时器  - 安全特性:高阶RSIP-E50D加密引擎、TrustZone、不可变存储器、安全启动、防篡改、DPA/SPA攻击防护、安全调试、安全工厂编程、设备生命周期管理  - 封装:224BGA、289BGA
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发布时间:2025-07-04 10:33 阅读量:493 继续阅读>>

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